格芯与台积电达成氮化镓技术许可,加速下一代功率芯片开发
11/18/2025,,近日,格芯(GlobalFoundries)宣布已与台积电(TSMC)就650伏和80伏氮化镓(GaN)技术达成一项技术许可协议。这一战略举措将加速格芯面向数据中心、工业和汽车电源应用的下一代GaN产品开发,并为全球客户群提供基于美国的GaN产能。
随着传统硅CMOS技术逼近其性能极限,氮化镓正逐渐成为满足电源系统对更高效率、功率密度和更紧凑尺寸需求的下一代解决方案。格芯正在开发全面的GaN产品组合,其中包括旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子产品的高性能650伏和80伏技术。格芯的GaN解决方案专为严苛环境而设计,并在工艺开发、器件性能和应用集成等方面采用整体性方法以确保GaN的可靠性。
格芯将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获授权的GaN技术进行资格认证,利用该工厂在高电压硅基氮化镓技术方面的专业知识,为寻求下一代功率器件的客户加速量产进程。开发工作定于2026年初进行,并于同年晚些时候开始生产。
“这项协议强化了格芯对创新的承诺,以及其对差异化技术的战略关注,这些技术关乎我们用于生活、工作和连接的关键电源设备,”格芯电源业务高级副总裁Téa Williams表示,“通过引入这项经过验证的GaN技术,我们将加速下一代GaN芯片的开发,并提供差异化解决方案,以弥补从数据中心到汽车,再到工厂车间等关键任务应用中的核心电源技术缺口。”
【关于格芯】
格芯是全球所依赖的 essential 半导体制造商。我们与客户创新和合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更高能效、更高性能的产品。凭借遍布美国、欧洲和亚洲的全球制造网络,格芯是全球客户值得信赖和依赖的合作伙伴。每一天,我们才华横溢的全球团队都以对安全、长效和可持续性的不懈专注来交付成果。
随着传统硅CMOS技术逼近其性能极限,氮化镓正逐渐成为满足电源系统对更高效率、功率密度和更紧凑尺寸需求的下一代解决方案。格芯正在开发全面的GaN产品组合,其中包括旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子产品的高性能650伏和80伏技术。格芯的GaN解决方案专为严苛环境而设计,并在工艺开发、器件性能和应用集成等方面采用整体性方法以确保GaN的可靠性。
格芯将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获授权的GaN技术进行资格认证,利用该工厂在高电压硅基氮化镓技术方面的专业知识,为寻求下一代功率器件的客户加速量产进程。开发工作定于2026年初进行,并于同年晚些时候开始生产。
“这项协议强化了格芯对创新的承诺,以及其对差异化技术的战略关注,这些技术关乎我们用于生活、工作和连接的关键电源设备,”格芯电源业务高级副总裁Téa Williams表示,“通过引入这项经过验证的GaN技术,我们将加速下一代GaN芯片的开发,并提供差异化解决方案,以弥补从数据中心到汽车,再到工厂车间等关键任务应用中的核心电源技术缺口。”
【关于格芯】
格芯是全球所依赖的 essential 半导体制造商。我们与客户创新和合作,为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更高能效、更高性能的产品。凭借遍布美国、欧洲和亚洲的全球制造网络,格芯是全球客户值得信赖和依赖的合作伙伴。每一天,我们才华横溢的全球团队都以对安全、长效和可持续性的不懈专注来交付成果。
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